台积电昨日宣布，N7+ 7nm+工艺已经大批量供应给客户，这是该公司乃至全产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。EUV光刻采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源，可使曝光波长直接降到13.5nm，研发，推动更先进工艺。
EUV光刻技术早在20世纪80年代就已经研发出来，最初计划用于70nm工艺，但光刻机指标一直达不到需求，加之成本居高不下，芯片厂商不得不引入沉浸式光刻、双重乃至多重曝光来开发新工艺。
台积电表示，7nm+的量产速度也是公司史上最快的之一，今年第二季度就已量产，并且在良品率上迅速达到了已经量产1年多的7nm工艺的水平。（来源：快科技）
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